MOSFET IXYS canal N, A-247 34 A 500 V, 3 broches

Name: MOSFET IXYS canal N, A-247 34 A 500 V, 3 broches
Brand: IXYS
SKU: 802-4372
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Documentation technique

Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)

Transistors MOSFET, IXYS

Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	34 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Série	HiperFET, Polar3
Type de boîtier	A-247
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	175 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	695 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Largeur	5.3mm
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	60 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	16.26mm
Hauteur	21.46mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C