Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	78 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Type de boîtier	TO-264
Série	HiperFET, Polar3
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	68 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	1,13 kW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Largeur	5.13mm
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	147 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	19.96mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	26.16mm

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	78 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Type de boîtier	TO-264
Série	HiperFET, Polar3
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	68 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	1,13 kW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Largeur	5.13mm
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	147 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	19.96mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	26.16mm

MOSFET IXYS canal N, TO-264 78 A 500 V, 3 broches

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