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Composants discrets
Transistors MOSFET
MOSFET IXYS canal N, PLUS247 98 A 500 V, 3 broches
Code commande RS:
802-4506P
Référence fabricant:
IXFX98N50P3
Marque:
IXYS
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Ce produit n’est plus distribué
Code commande RS:
802-4506P
Référence fabricant:
IXFX98N50P3
Marque:
IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Caractéristiques techniques
IXFK98N50P3, IXFX98N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
Déclaration de conformité RoHS
Déclaration de conformité
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™
Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Attribut
Valeur
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
98 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Série
HiperFET, Polar3
Type de boîtier
PLUS247
Type de montage
Traversant
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
50 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
1,3 kW
Configuration du transistor
Simple
Tension Grille Source maximum
-30 V, +30 V
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
197 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.21mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
21.34mm