MOSFET IXYS canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 broches

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Code commande RS:
804-7599
Référence fabricant:
IXFN132N50P3
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

112 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Série

HiperFET, Polar3

Type de boîtier

SOT-227

Type de montage

Montage à visser

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum

39 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Dissipation de puissance maximum

1,5 kW

Configuration du transistor

Simple

Tension Grille Source maximum

-30 V, +30 V

Longueur

38.23mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Largeur

25.07mm

Température d'utilisation maximum

+150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

250 nC @ 10 V

Hauteur

9.6mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C