MOSFET IXYS canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 broches

Name: MOSFET IXYS canal N, SOT-227 112 A 500 V, 4 broches
Brand: IXYS
SKU: 804-7599
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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	112 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Série	HiperFET, Polar3
Type de boîtier	SOT-227
Type de montage	Montage à visser
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	39 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	1,5 kW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	25.07mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	38.23mm
Charge de Grille type @ Vgs	250 nC @ 10 V
Hauteur	9.6mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C