MOSFET 1 canal N Simple onsemi 43 A 300 V Enrichissement, 3 broches, TO-3PN QFET
- Code commande RS:
- 808-8988
- Référence fabricant:
- FQA44N30
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 808-8988
- Référence fabricant:
- FQA44N30
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Type de canal | N | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 43 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 300 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | TO-3PN | |
| Série | QFET | |
| Hauteur | 20.1 mm | |
| Longueur | 15.8 mm | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 69 mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | 30 V, -30 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150 °C | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | Traversant | |
| Largeur | 5 mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Type de canal N | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 43 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 300 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier TO-3PN | ||
Série QFET | ||
Hauteur 20.1 mm | ||
Longueur 15.8 mm | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 69 mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) 30 V, -30 V | ||
Température d'utilisation maximum 150 °C | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage Traversant | ||
Largeur 5 mm | ||
QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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