MOSFET 1 canal N Simple onsemi 43 A 300 V Enrichissement, 3 broches, TO-3PN QFET
- Code commande RS:
- 808-8988
- Référence fabricant:
- FQA44N30
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 808-8988
- Référence fabricant:
- FQA44N30
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 43A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 300V | |
| Type de Boitier | TO-3PN | |
| Série | QFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 69mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V, -30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Largeur | 5mm | |
| Hauteur | 20.1mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 43A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 300V | ||
Type de Boitier TO-3PN | ||
Série QFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 69mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V, -30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Longueur 15.8mm | ||
Largeur 5mm | ||
Hauteur 20.1mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Transistor MOSFET canal N QFET®, plus de 31 A, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de FairField Semiconductor utilisent une technologie brevetée avancée pour offrir les meilleures performances de fonctionnement de sa catégorie pour une large gamme d'applications, y compris les alimentations, les PFC (correcteur de facteur de puissance), les convertisseurs c.c.-c.c., les panneaux d'affichage au plasma (PDP), les ballasts d'éclairage et le contrôle de mouvement.
Ils offrent une perte d'état sous tension réduite en abaissant la résistance sous tension (RDS(on)), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie de processus QFET® avancée, Fairchild peut offrir un chiffre de mérite (FOM) amélioré par rapport aux dispositifs MOSFET planaires concurrents.
Transistors MOSFET, ON Semi
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Les transistors MOSFET semi-ON offrent une fiabilité de conception supérieure, de la réduction des pics de tension et de la surtension, à la réduction de la capacité de jonction et de la charge de récupération inverse, à l'élimination de composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en marche et en fonctionnement plus longtemps.
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