MOSFET Vishay canal N, SOT-23 6 A 30 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 812-3126
- Référence fabricant:
- Si2338DS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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0,396 €
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TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,396 € | 7,92 € |
| 200 - 480 | 0,305 € | 6,10 € |
| 500 - 980 | 0,285 € | 5,70 € |
| 1000 - 1980 | 0,257 € | 5,14 € |
| 2000 + | 0,238 € | 4,76 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 812-3126
- Référence fabricant:
- Si2338DS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 6 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | SOT-23 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 33 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.2V |
| Dissipation de puissance maximum | 2,5 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Longueur | 3.04mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 8,2 nC @ 10 V |
| Largeur | 1.4mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Hauteur | 1.02mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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