MOSFET Vishay canal N, SOIC 8 A 60 V, 8 broches

Documentation technique

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	8 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SOIC
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	43 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1.5V
Dissipation de puissance maximum	5 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	5mm
Charge de Grille type @ Vgs	21 nC @ 10 V
Largeur	4mm
Hauteur	1.55mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C