MOSFET canal N DiodesZetex 3.8 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 DMN AEC-Q101

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822-2576
Référence fabricant:
DMN3110S-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3.8A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

DMN

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

110mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.1nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.8W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

1.4mm

Longueur

3mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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