MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 259 A 100 V, 3 broches

Code commande RS:: 827-4919P
Référence fabricant:: CSD19536KCS
Marque:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 259 A 100 V, 3 broches

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Code commande RS:: 827-4919P
Référence fabricant:: CSD19536KCS
Marque:: Texas Instruments

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	259 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Série	NexFET
Type de boîtier	A-220
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	3,2 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.2V
Tension de seuil minimale de la grille	2.1V
Dissipation de puissance maximum	375 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Largeur	4.7mm
Charge de Grille type @ Vgs	118 nC @ 10 V
Longueur	10.67mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Hauteur	16.51mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Texas Instruments canal N, A-220 259 A 100 V, 3 broches

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments