MOSFET Toshiba canal N, A-220 11,5 A 600 V, 3 broches

Code commande RS:: 827-6113P
Référence fabricant:: TK12E60W,S1VX(S
Marque:: Toshiba

MOSFET Toshiba canal N, A-220 11,5 A 600 V, 3 broches

Ce produit n’est plus distribué

Code commande RS:: 827-6113P
Référence fabricant:: TK12E60W,S1VX(S
Marque:: Toshiba

TK12E60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	11,5 A
Tension Drain Source maximum	600 V
Série	TK
Type de boîtier	A-220
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	300 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.7V
Dissipation de puissance maximum	110 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Charge de Grille type @ Vgs	25 nC @ 10 V
Largeur	4.45mm
Longueur	10.16mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	15.1mm