MOSFET canal N Microchip 500 mA 400 V Épuisement, 3 broches, TO-220 DN2540
- Code commande RS:
- 829-3244P
- Référence fabricant:
- DN2540N5-G
- Marque:
- Microchip
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 25 - 95 | 1,54 € |
| 100 + | 1,484 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 829-3244P
- Référence fabricant:
- DN2540N5-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 500mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 400V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | DN2540 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 25Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 15W | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 16.51mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Longueur | 10.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 500mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 400V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série DN2540 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 25Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 15W | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 16.51mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.83mm | ||
Longueur 10.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex
La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
Caractéristiques
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
Applications types
Commutateurs normalement fermés
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications