MOSFET, Canal-N, 30 mA 500 V TO-92, 3 broches

  • Code commande RS 829-3250
  • Référence fabricant LND150N3-G
  • Marque Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex

La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

Caractéristiques

Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie

Applications types

Commutateurs normalement fermés
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications

Transistors MOSFET, Microchip

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 30 mA
Tension Drain Source maximum 500 V
Type de boîtier TO-92
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 1 kΩ
Mode de canal Depletion
Tension de seuil maximale de la grille 3V
Dissipation de puissance maximum 740 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Hauteur 5.33mm
Largeur 4.19mm
Longueur 5.2mm
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +150 °C
Température de fonctionnement minimum -55 °C
20 En stock, livraison dès le lendemain
Prix pour l'unité (par multiple de 20)
0,404
HT
0,485
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
20 - 20
0,404 €
8,08 €
40 - 80
0,382 €
7,64 €
100 +
0,342 €
6,84 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :