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    MOSFET Microchip canal N, , TO-92 175 mA 300 V, 3 broches

    Code commande RS:
    829-3320P
    Référence fabricant:
    DN2530N3-G
    Marque:
    Microchip
    Microchip
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    DN2530N3-G
    Marque:
    Microchip

    Législation et Conformité


    Détail produit

    Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex


    La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

    Caractéristiques


    Impédance d'entrée élevée
    Faible capacité d'entrée
    Vitesses de commutation rapides
    Faible résistance à état passant
    Libre de débitage secondaire
    Faible niveau de fuites d'entrée et sortie

    Applications types


    Commutateurs normalement fermés
    Relais statiques
    Convertisseurs
    Amplificateurs linéaires
    Sources de courant constant
    Circuits d'alimentation
    Télécommunications

    Le transistor à mode d'épuisement (normalement activé) à canal N DN2530 de Microchip utilise une structure DMOS verticale Advanced et un processus de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont idéalement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée, et des commutations rapides sont souhaitées. Il est doté d'une tension drain à source et drain à porte de 300 V et d'une résistance statique drain à source à l'état passant de 25 Ω.

    Impédance d'entrée élevée
    Faible capacité d'entrée
    Vitesses de commutation rapides
    Faible résistance à l'état passant
    Libre de débitage secondaire
    Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
    Sans plomb (Pb)
    Boîtier TO-92 à 3 fils


    Transistors MOSFET, Microchip

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum175 mA
    Tension Drain Source maximum300 V
    Type de boîtierTO-92
    Type de montageTraversant
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum12 Ω
    Mode de canalDepletion
    Tension de seuil maximale de la grille3.5V
    Dissipation de puissance maximum740 mW
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Longueur5.2mm
    Matériau du transistorSi
    Nombre d'éléments par circuit1
    Largeur4.19mm
    Hauteur5.33mm
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
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