MOSFET Microchip canal N, TO-92 175 mA 300 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 829-3320P
- Référence fabricant:
- DN2530N3-G
- Marque:
- Microchip
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 829-3320P
- Référence fabricant:
- DN2530N3-G
- Marque:
- Microchip
Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex
La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
Caractéristiques
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
Applications types
Commutateurs normalement fermés
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications
Le transistor à mode d'épuisement (normalement activé) à canal N DN2530 de Microchip utilise une structure DMOS verticale Advanced et un processus de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont idéalement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée, et des commutations rapides sont souhaitées. Il est doté d'une tension drain à source et drain à porte de 300 V et d'une résistance statique drain à source à l'état passant de 25 Ω.
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à l'état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
Sans plomb (Pb)
Boîtier TO-92 à 3 fils
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à l'état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
Sans plomb (Pb)
Boîtier TO-92 à 3 fils
Transistors MOSFET, Microchip
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 175 mA |
| Tension Drain Source maximum | 300 V |
| Type de boîtier | TO-92 |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 12 Ω |
| Mode de canal | Depletion |
| Tension de seuil maximale de la grille | 3.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 740 mW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Largeur | 4.19mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 5.2mm |
| Hauteur | 5.33mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |