MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK DeepGate, STripFET

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860-7523P
Référence fabricant:
STH150N10F7-2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

110A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

DeepGate, STripFET

Type de Boitier

H2PAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

117nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Hauteur

4.8mm

Largeur

10.57mm

Standard automobile

Non

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics


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