MOSFET canal N Microchip 190 mA 240 V Enrichissement, 3 broches, TO-92

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861-0670P
Référence fabricant:
VN2410L-G
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

190mA

Tension Drain Source maximum Vds

240V

Type de Boitier

TO-92

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

10Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

5.33mm

Longueur

5.2mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.19mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N à mode d'enrichissement Supertex


La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal N et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

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