MOSFET MagnaChip canal N, DPAK (TO-252) 3,4 A 400 V, 3 broches

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Documentation technique

Transistor MOSFET à canal N haute tension, avec faible résistance à l'état passant et performances de commutation élevées.

Transistors MOSFET, MagnaChip

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	3,4 A
Tension Drain Source maximum	400 V
Type de boîtier	DPAK (TO-252)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	1,6 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	45 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Longueur	6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs	9 nC @ 10 V
Largeur	6.22mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	2.39mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Tension directe de la diode	1.4V