MOSFET MagnaChip canal N, TO-220F 5 A 500 V, 3 broches

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Documentation technique

Transistor MOSFET à canal N haute tension, avec faible résistance à l'état passant et performances de commutation élevées.

Transistors MOSFET, MagnaChip

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	5 A
Tension Drain Source maximum	500 V
Type de boîtier	TO-220F
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	1,4 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Dissipation de puissance maximum	27 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	10.71mm
Charge de Grille type @ Vgs	11,5 nC @ 10 V
Largeur	4.93mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Hauteur	16.13mm
Tension directe de la diode	1.4V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C