MOSFET N STMicroelectronics 10 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh M2

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876-5623P
Référence fabricant:
STD13N65M2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-252

Série

MDmesh M2

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

430mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Largeur

6.2 mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics


Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics