MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 8 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP MDmesh M2

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Code commande RS:
876-5639
Référence fabricant:
STF12N65M2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

8A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

MDmesh M2

Type de Boitier

TO-220FP

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16.5nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Hauteur

16.4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics


Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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