MOSFET de puissance N STMicroelectronics 8 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP MDmesh M2
- Code commande RS:
- 876-5639
- Référence fabricant:
- STF12N65M2
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
10,50 €
HT
12,60 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 20 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,10 € | 10,50 € |
| 25 - 45 | 1,996 € | 9,98 € |
| 50 - 120 | 1,796 € | 8,98 € |
| 125 - 245 | 1,618 € | 8,09 € |
| 250 + | 1,534 € | 7,67 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 876-5639
- Référence fabricant:
- STF12N65M2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Série | MDmesh M2 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 25W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 16.4mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Série MDmesh M2 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 25W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 16.4mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 8 A 650 V Enrichissement TO-220FP MDmesh M2
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 13 A 650 V Enrichissement TO-220FP MDmesh M2
- MOSFET de puissance MDmesh V N STMicroelectronics 12 A 650 V Enrichissement TO-220FP MDmesh M5
- MOSFET N STMicroelectronics 22 A 650 V Enrichissement TO-247 MDmesh M2
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 11 A 650 V Enrichissement TO-220FP MDmesh M5
- MOSFET N STMicroelectronics 22 A 650 V Enrichissement TO-220 MDmesh M2
- MOSFET N STMicroelectronics 5.5 A 650 V Enrichissement TO-252 MDmesh M2
- MOSFET N STMicroelectronics 13 A 650 V Enrichissement TO-220 MDmesh M2
