MOSFET P STMicroelectronics 10 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC STripFET
- Code commande RS:
- 876-5711P
- Référence fabricant:
- STS10P4LLF6
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 876-5711P
- Référence fabricant:
- STS10P4LLF6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Série | STripFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 34nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.7W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | -1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Largeur | 4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Série STripFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.7W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf -1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Largeur 4mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.