MOSFET canal N STMicroelectronics 52 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh M2

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876-5720P
Référence fabricant:
STW56N60M2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

52A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Série

MDmesh M2

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

55mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

350W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

91nC

Tension directe Vf

1.6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25V, +25V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

15.75mm

Hauteur

20.15mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.15mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics


Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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