MOSFET canal N STMicroelectronics 52 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh M2
- Code commande RS:
- 876-5720P
- Référence fabricant:
- STW56N60M2
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 10 unités (conditionné en tube)*
55,80 €
HT
67,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 314 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 - 99 | 5,58 € |
| 100 - 599 | 5,51 € |
| 600 + | 5,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 876-5720P
- Référence fabricant:
- STW56N60M2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 52A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | MDmesh M2 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 55mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 350W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 91nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 52A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série MDmesh M2 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 55mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 350W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 91nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.75mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).