MOSFET, Canal-N, 9,7 A 600 V TO-220SIS, 3 broches

  • Code commande RS 891-2869
  • Référence fabricant TK10A60W,S5VX(J
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : MY
Détail produit

Transistors MOSFET, Toshiba

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 9,7 A
Tension Drain Source maximum 600 V
Type de boîtier TO-220SIS
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 380 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 3.7V
Dissipation de puissance maximum 30 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Charge de Grille type @ Vgs 20 nC @ 10 V
Tension directe de la diode 1.7V
Matériau du transistor Si
Série TK
Longueur 10mm
Largeur 4.5mm
Hauteur 15mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
35 En stock pour livraison sous 5 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
0,874
HT
1,049
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 20
0,874 €
4,37 €
25 - 45
0,676 €
3,38 €
50 - 95
0,656 €
3,28 €
100 - 245
0,64 €
3,20 €
250 +
0,624 €
3,12 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :