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Composants discrets
Transistors MOSFET
MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 9,7 A 600 V, 3 broches
Code commande RS:
891-2869
Référence fabricant:
TK10A60W,S5VX(J
Marque:
Toshiba
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Ce produit n’est plus distribué
Code commande RS:
891-2869
Référence fabricant:
TK10A60W,S5VX(J
Marque:
Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Caractéristiques techniques
TK10A60W, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET
Déclaration de conformité RoHS
Déclaration de conformité
Pays d'origine :
MY
Transistors MOSFET, Toshiba
Attribut
Valeur
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9,7 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-220SIS
Type de montage
Traversant
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
380 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Simple
Tension Grille Source maximum
-30 V, +30 V
Matériau du transistor
Si
Longueur
10mm
Température d'utilisation maximum
+150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Largeur
4.5mm
Tension directe de la diode
1.7V
Série
TK
Hauteur
15mm