MOSFET Texas Instruments canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches

Code commande RS:: 900-9857P
Référence fabricant:: CSD19536KTTT
Marque:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches

536 En stock pour livraison sous 3 jour(s)

Uniquement disponible en livraison standard

Prix pour l'unité (conditionné en bobine) Pour une quantité inférieure à 150, la livraison s'effectuera en bande

5,72 €

6,86 €

Unité	Prix par unité
5 - 9	5,72 €
10 - 14	5,53 €
15 - 24	5,50 €
25 +	5,31 €

Code commande RS:: 900-9857P
Référence fabricant:: CSD19536KTTT
Marque:: Texas Instruments

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	272 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Série	NexFET
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	2,8 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Dissipation de puissance maximum	375 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Longueur	10.67mm
Largeur	9.65mm
Charge de Grille type @ Vgs	118 nC @ 0 V
Tension directe de la diode	1.1V
Hauteur	4.83mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Texas Instruments canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments