MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 1.2 kV Enrichissement, 3 broches, Hip-247
- Code commande RS:
- 907-4741P
- Référence fabricant:
- SCT30N120
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Consulter les options de prix de grosSous-total 10 unités (conditionné en tube)*
166,70 €
HT
200,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 290 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 10 + | 16,67 € | - |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 907-4741P
- Référence fabricant:
- SCT30N120
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 100mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 270W | |
| Tension directe Vf | 3.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -10V, +25V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 105nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 100mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 270W | ||
Tension directe Vf 3.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -10V, +25V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 105nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Longueur 15.75mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) à canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.