MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET F3 AEC-Q101

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907-4744P
Référence fabricant:
STL8N10LF3
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PowerFLAT

Série

STripFET F3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

50mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

20.5nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

950μm

Longueur

6.15mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.2mm

Standard automobile

AEC-Q101

Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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