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    MOSFET Microchip canal N, , TO-92 230 mA 60 V, 3 broches

    Code commande RS:
    916-3721P
    Référence fabricant:
    2N7008-G
    Marque:
    Microchip
    Microchip
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    Microchip

    Documentation technique


    Législation et Conformité


    Détail produit

    Transistors MOSFET canal N 2N7008


    Le 2N7008 de Microchip est un transistor à mode d'enrichissement (normalement fermé) qui utilise une structure verticale DMOS. La conception combine les capacités de gestion de la puissance d'un transistor bipolaire avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif des circuits MOS.

    Caractéristiques


    Libre de toute panne secondaire
    Faible puissance d'entraînement requise
    Fonctionnement parallèle aisé
    Faible CISS et vitesses de commutation rapides
    Excellente stabilité thermique
    Diode de source-drain intégrée
    Impédance d'entrée et gain élevés

    Le transistor à mode d'amélioration (normalement désactivé) à canal N 2N7008 de Microchip utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un dispositif avec les capacités de gestion de puissance des transistors bipolaires, et l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif inhérents au dispositif MOS. Ce dispositif est exempt d'une fuite thermique et d'une panne secondaire causée thermiquement. Les transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification dans lesquelles une très faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une haute impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides sont souhaitées.

    Libre de débitage secondaire
    Faible puissance d'entraînement requise
    Plus grande facilité de mise en parallèle
    Faible CISS et vitesses de commutation rapides
    Excellente stabilité thermique
    Diode de source-drain intégrée
    Impédance d'entrée et gain élevés
    Sans plomb (Pb)


    Transistors MOSFET, Microchip

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum230 mA
    Tension Drain Source maximum60 V
    Type de boîtierTO-92
    Type de montageTraversant
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum7,5 Ω
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille2.5V
    Tension de seuil minimale de la grille1V
    Dissipation de puissance maximum1 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-30 V, +30 V
    Température d'utilisation maximum+150 °C
    Matériau du transistorSi
    Longueur5.08mm
    Nombre d'éléments par circuit1
    Largeur4.06mm
    Tension directe de la diode1.5V
    Hauteur5.33mm
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
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