MOSFET Vishay canal P, SOT-23 2,3 A 20 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 919-0250
- Référence fabricant:
- SI2301CDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,165 €
HT
0,198 €
TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 3000 - 3000 | 0,165 € | 495,00 € |
| 6000 + | 0,157 € | 471,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 919-0250
- Référence fabricant:
- SI2301CDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 2,3 A |
| Tension Drain Source maximum | 20 V |
| Type de boîtier | SOT-23 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 112 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 0.4V |
| Dissipation de puissance maximum | 860 mW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -8 V, +8 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 1.4mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 3,3 nC @ 2,5 V, 5,5 nC @ 4,5 V |
| Longueur | 3.04mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Hauteur | 1.02mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |