MOSFET, Canal-P, 2,3 A 20 V SOT-23, 3 broches

  • Code commande RS 919-0250
  • Référence fabricant SI2301CDS-T1-GE3
  • Marque Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 2,3 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 112 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 0.4V
Dissipation de puissance maximum 860 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs 3,3 nC @ 2,5 V, 5,5 nC @ 4,5 V
Hauteur 1.02mm
Largeur 1.4mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
3000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,154
HT
0,185
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 6000
0,154 €
462,00 €
9000 +
0,15 €
450,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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