MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 3,9 A, 5,3 A 60 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 919-0297
- Référence fabricant:
- SI4559ADY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 919-0297
- Référence fabricant:
- SI4559ADY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N, P |
| Courant continu de Drain maximum | 3,9 A, 5,3 A |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Type de boîtier | SOIC |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 72 mΩ, 150 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
| Dissipation de puissance maximum | 3,1 W, 3,4 W |
| Configuration du transistor | Isolé |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Charge de Grille type @ Vgs | 13 nC @ 30 V, 14,5 nC @ 30 V |
| Longueur | 5mm |
| Largeur | 4mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1.5mm |