MOSFET, N/P-Channel 3,9 A, 5,3 A 60 V SOIC, 8 broches

  • Code commande RS 919-0297
  • Référence fabricant SI4559ADY-T1-GE3
  • Marque Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N, P
Courant continu de Drain maximum 3,9 A, 5,3 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier SOIC
Type de montage CMS
Nombre de broches 8
Résistance Drain Source maximum 72 mΩ, 150 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 3,1 W, 3,4 W
Configuration du transistor Isolé
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 2
Matériau du transistor Si
Largeur 4mm
Charge de Grille type @ Vgs 13 nC @ 30 V, 14,5 nC @ 30 V
Longueur 5mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Hauteur 1.5mm
En stock à partir du 21/07/2020, livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 2500)
0,593
HT
0,712
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +
0,593 €
1 482,50 €
*Prix donné à titre indicatif
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