- Code commande RS:
- 920-0773
- Référence fabricant:
- IXFH26N50P
- Marque:
- IXYS
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Prix pour l'unité (en tube de 30)
6,724 €
HT
8,069 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
30 - 30 | 6,724 € | 201,72 € |
60 - 120 | 6,523 € | 195,69 € |
150 - 270 | 6,321 € | 189,63 € |
300 + | 6,052 € | 181,56 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 920-0773
- Référence fabricant:
- IXFH26N50P
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 26 A |
Tension Drain Source maximum | 500 V |
Type de boîtier | A-247 |
Série | HiperFET, Polar |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 230 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 5.5V |
Dissipation de puissance maximum | 400 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
Longueur | 16.26mm |
Matériau du transistor | Si |
Largeur | 5.3mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Hauteur | 21.46mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |