MOSFET canal N STMicroelectronics 35 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET II
- Code commande RS:
- 920-6604
- Référence fabricant:
- STD35NF06LT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 872,50 €
HT
2 247,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 7 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,749 € | 1 872,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 920-6604
- Référence fabricant:
- STD35NF06LT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 35A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | STripFET II | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 17mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 15V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 80W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.2mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 35A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série STripFET II | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 17mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 15V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 80W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.2mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 35 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET N STMicroelectronics 12 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET N STMicroelectronics 25 A 100 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET N STMicroelectronics 17 A 250 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET N STMicroelectronics 60 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET N STMicroelectronics 35 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET
- MOSFET N STMicroelectronics 35 A 100 V Enrichissement TO-263 STripFET II
- MOSFET P STMicroelectronics 35 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET F6