MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 30 A 710 V, 3 broches

Code commande RS:: 920-8824
Référence fabricant:: STP38N65M5
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 30 A 710 V, 3 broches

En cours d'approvisionnement

Prix pour l'unité (en tube de 50)

3,198 €

3,838 €

Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	3,198 €	159,90 €
100 - 200	3,116 €	155,80 €
250 +	3,038 €	151,90 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 920-8824
Référence fabricant:: STP38N65M5
Marque:: STMicroelectronics

Documentation technique

Datasheet

Législation et Conformité

Détail produit

Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics

Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	30 A
Tension Drain Source maximum	710 V
Type de boîtier	A-220
Série	MDmesh M5
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	95 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Tension de seuil minimale de la grille	3V
Dissipation de puissance maximum	190 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-25 V, +25 V
Largeur	4.6mm
Charge de Grille type @ Vgs	71 nC @ 10 V
Longueur	10.4mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	15.75mm