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Composants discrets

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Composants discrets
(3) Transistors bipolaires
(10) Transistors MOSFET
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Détails du produit
Transistor, PNP Simple, -600 mA, -60 V, LCC 1, 3 broches
  • 84,67 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Transistor, PNP Simple, -600 mA, -60 V, LCC 1, 3 broches
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum-600 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum-60 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
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Transistor, PNP Simple, -600 mA, -60 V, LCC 1, 3 broches
  • 73,673 €
    l'unité (en plateau de 100)
Transistor, PNP Simple, -600 mA, -60 V, LCC 1, 3 broches
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum-600 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum-60 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
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MOSFET Semelab canal N, DR 35 A 70 V, 5 broches
  • 258,55 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Semelab canal N, DR 35 A 70 V, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum35 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Type de boîtierDR
  • SérieTetraFET
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Semelab canal N, DR 35 A 70 V, 5 broches
  • 239,291 €
    l'unité (en plateau de 20)
MOSFET Semelab canal N, DR 35 A 70 V, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum35 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Type de boîtierDR
  • SérieTetraFET
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Transistor, NPN Isolé, 800 mA, 50 V, LCC 2, 6 broches Dual
  • 39,12 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Transistor, NPN Isolé, 800 mA, 50 V, LCC 2, 6 broches Dual
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum800 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierLCC 2
  • Type de montageCMS
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MOSFET Semelab canal N, DK 10 A 70 V, 5 broches
  • 273,934 €
    l'unité (en plateau de 25)
MOSFET Semelab canal N, DK 10 A 70 V, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Type de boîtierDK
  • SérieTetraFET
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MOSFET Semelab canal N, DK 10 A 70 V, 5 broches
  • 306,30 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Semelab canal N, DK 10 A 70 V, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • SérieTetraFET
  • Type de boîtierDK
Voir produits similaires Transistors MOSFET
MOSFET Semelab canal N, DM 30 A 70 V, 4 broches
  • 77,60 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Semelab canal N, DM 30 A 70 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum30 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Type de boîtierDM
  • SérieTetraFET
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MOSFET Semelab canal N, SOIC 2 A 65 V, 8 broches
  • 61,88 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Semelab canal N, SOIC 2 A 65 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum2 A
  • Tension Drain Source maximum65 V
  • SérieTetraFET
  • Type de boîtierSOIC
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MOSFET Semelab canal N, SOIC 5 A 70 V, 8 broches
  • 32,71 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Semelab canal N, SOIC 5 A 70 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • SérieTetraFET
  • Type de boîtierSOIC
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MOSFET Semelab canal N, DR 30 A 70 V, 5 broches
  • 208,54 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Semelab canal N, DR 30 A 70 V, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum30 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • SérieTetraFET
  • Type de boîtierDR
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MOSFET Semelab canal N, SOIC 2 A 65 V, 8 broches
  • 55,36 €
    l'unité (en plateau de 50)
MOSFET Semelab canal N, SOIC 2 A 65 V, 8 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum2 A
  • Tension Drain Source maximum65 V
  • SérieTetraFET
  • Type de boîtierSOIC
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MOSFET Semelab canal N, DA 5 A 70 V, 4 broches
  • 53,44 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Semelab canal N, DA 5 A 70 V, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum5 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • SérieTetraFET
  • Type de boîtierDA
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