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Description
Détails du produit
Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, LCC 1, 3 broches, gain de 40
  • 22,48 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, LCC 1, 3 broches, gain de 40
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum200 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum15 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, LCC 1, 3 broches, gain de 40
  • 21,667 €
    l'unité (en plateau de 100)
Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, LCC 1, 3 broches, gain de 40
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum200 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum15 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
MOSFET, Canal-N, 170 mA 60 V TO-18, 3 broches
  • 19,36 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET, Canal-N, 170 mA 60 V TO-18, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum170 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-18
  • Type de montageTraversant
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
MOSFET, Canal-N, 170 mA 60 V TO-18, 3 broches
  • 17,882 €
    l'unité (en plateau de 30)
MOSFET, Canal-N, 170 mA 60 V TO-18, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum170 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Type de boîtierTO-18
  • Type de montageTraversant
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
Transistor, PNP Simple, 600 mA, 60 V, LCC 1, 3 broches, gain de 75
  • 16,58 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Transistor, PNP Simple, 600 mA, 60 V, LCC 1, 3 broches, gain de 75
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum600 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum60 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
Transistor, PNP Simple, 600 mA, 60 V, LCC 1, 3 broches, gain de 75
  • 10,858 €
    l'unité (en plateau de 100)
Transistor, PNP Simple, 600 mA, 60 V, LCC 1, 3 broches, gain de 75
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum600 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum60 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, LCC 1, 3 broches, gain de 50
  • 28,25 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, LCC 1, 3 broches, gain de 50
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum800 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum40 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, LCC 1, 3 broches, gain de 50
  • 15,275 €
    l'unité (en plateau de 100)
Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, LCC 1, 3 broches, gain de 50
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum800 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum40 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
Diode CMS, 1A, 150V, 1N5806D2A, 25ns
  • 22,744 €
    l'unité (en plateau de 100)
Diode CMS, 1A, 150V, 1N5806D2A, 25ns
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierDLCC2
  • Courant direct continu maximum1A
  • Tension inverse de crête répétitive150V
  • Configuration de diodeSimple
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
Diode CMS, 1A, 150V, 1N5806D2A, 25ns
  • 25,02 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode CMS, 1A, 150V, 1N5806D2A, 25ns
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierDLCC2
  • Courant direct continu maximum1A
  • Tension inverse de crête répétitive150V
  • Configuration de diodeSimple
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
MOSFET, Canal-N, 35 A 70 V DR, 5 broches
  • 207,639 €
    l'unité (en plateau de 20)
MOSFET, Canal-N, 35 A 70 V DR, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum35 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Type de boîtierDR
  • Type de montageMontage panneau
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
MOSFET, Canal-N, 35 A 70 V DR, 5 broches
  • 244,24 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET, Canal-N, 35 A 70 V DR, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum35 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Type de boîtierDR
  • Type de montageMontage panneau
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
JFET, 2N4392CSM, Canal-N, 40 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
  • 38,424 €
    l'unité (en plateau de 100)
JFET, 2N4392CSM, Canal-N, 40 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
  • Type de canalN
  • Idss Drain-source Courant de coupure25 → 75mA
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • Tension Grille Source maximum+40 V
  • Tension Drain Grille maximum40V
Voir les produits de la même série JFETs
JFET, 2N4392CSM , Canal-N, 40 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
  • 37,77 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
JFET, 2N4392CSM , Canal-N, 40 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
  • Type de canalN
  • Idss Drain-source Courant de coupure25 → 75mA
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • Tension Grille Source maximum+40 V
  • Tension Drain Grille maximum40V
Voir les produits de la même série JFETs
Transistor, NPN Isolé, 800 mA, 50 V, LCC 2, 6 broches Dual, gain de 50
  • 26,94 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Transistor, NPN Isolé, 800 mA, 50 V, LCC 2, 6 broches Dual, gain de 50
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum800 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierLCC 2
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
MOSFET, Canal-N, 10 A 70 V DA, 4 broches
  • 60,137 €
    l'unité (en plateau de 25)
MOSFET, Canal-N, 10 A 70 V DA, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Type de boîtierDA
  • Type de montageMontage panneau
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
Diode CMS, 300mA, 75V, 1N6642D2A, 5ns
  • 18,91 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode CMS, 300mA, 75V, 1N6642D2A, 5ns
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierDLCC2
  • Courant direct continu maximum300mA
  • Tension inverse de crête répétitive75V
  • Configuration de diodeSimple
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
Transistor, NPN Isolé, 800 mA, 50 V, LCC 2, 6 broches Dual, gain de 50
  • 25,956 €
    l'unité (en plateau de 100)
Transistor, NPN Isolé, 800 mA, 50 V, LCC 2, 6 broches Dual, gain de 50
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum800 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierLCC 2
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
MOSFET, Canal-N, 10 A 70 V DA, 4 broches
  • 66,15 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET, Canal-N, 10 A 70 V DA, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Type de boîtierDA
  • Type de montageMontage panneau
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
Diode CMS, 300mA, 75V, 1N6642D2A, 5ns
  • 18,233 €
    l'unité (en plateau de 100)
Diode CMS, 300mA, 75V, 1N6642D2A, 5ns
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierDLCC2
  • Courant direct continu maximum300mA
  • Tension inverse de crête répétitive75V
  • Configuration de diodeSimple
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
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