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Prix
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Description
Détails du produit
  • 21,667 €
    l'unité (en plateau de 100)
Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, LCC 1, 3 broches, gain de 40
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum200 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum15 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
  • 23,83 €la pièce
Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, LCC 1, 3 broches, gain de 40
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum200 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum15 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
  • 20,07 €la pièce
MOSFET, Canal-N, 170 mA 60 V TO-18, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum170 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Résistance Drain Source maximum9 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille2.5V
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 14,916 €
    l'unité (en plateau de 30)
MOSFET, Canal-N, 170 mA 60 V TO-18, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum170 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • Résistance Drain Source maximum9 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille2.5V
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 10,858 €
    l'unité (en plateau de 100)
Transistor, PNP Simple, 600 mA, 60 V, LCC 1, 3 broches, gain de 75
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum600 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum60 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
  • 17,82 €la pièce
Transistor, PNP Simple, 600 mA, 60 V, LCC 1, 3 broches, gain de 75
  • Type de transistorPNP
  • Courant continu de Collecteur maximum600 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum60 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
  • 27,89 €la pièce
Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, LCC 1, 3 broches, gain de 50
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum800 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum40 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
  • 16,22 €
    l'unité (en plateau de 100)
Transistor, NPN Simple, 800 mA, 40 V, LCC 1, 3 broches, gain de 50
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum800 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum40 V
  • Type de boîtierLCC 1
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
  • 22,744 €
    l'unité (en plateau de 100)
Diode CMS, 1A, 150V, 1N5806D2A, 25ns
  • Courant direct continu maximum1A
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Tension inverse de crête répétitive150V
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
  • 25,02 €la pièce
Diode CMS, 1A, 150V, 1N5806D2A, 25ns
  • Courant direct continu maximum1A
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Tension inverse de crête répétitive150V
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
  • 235,353 €
    l'unité (en plateau de 20)
MOSFET, Canal-N, 35 A 70 V DR, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum35 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Tension de seuil maximale de la grille7V
  • Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 258,89 €la pièce
MOSFET, Canal-N, 35 A 70 V DR, 5 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum35 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Tension de seuil maximale de la grille7V
  • Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 59,922 €
    l'unité (en plateau de 100)
JFET, 2N4392CSM, Canal-N, 40 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
  • Type de canalN
  • Idss Drain-source Courant de coupure25 → 75mA
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • Tension Grille Source maximum+40 V
  • Tension Drain Grille maximum40V
Voir les produits de la même série JFETs
  • 65,91 €la pièce
JFET, 2N4392CSM , Canal-N, 40 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
  • Type de canalN
  • Idss Drain-source Courant de coupure25 → 75mA
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • Tension Grille Source maximum+40 V
  • Tension Drain Grille maximum40V
Voir les produits de la même série JFETs
  • 3,34 €la pièce
Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches, gain de 140
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum230 V
  • Type de boîtierTO-3P
  • Type de montageTraversant
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
  • 25,956 €
    l'unité (en plateau de 100)
Transistor, NPN Isolé, 800 mA, 50 V, LCC 2, 6 broches Dual, gain de 50
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum800 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierLCC 2
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
  • 60,137 €
    l'unité (en plateau de 25)
MOSFET, Canal-N, 10 A 70 V DA, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Tension de seuil maximale de la grille7V
  • Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
  • 18,233 €
    l'unité (en plateau de 100)
Diode CMS, 300mA, 75V, 1N6642D2A, 5ns
  • Courant direct continu maximum300mA
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de redressementCommutation
  • Tension inverse de crête répétitive75V
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
  • 28,55 €la pièce
Transistor, NPN Isolé, 800 mA, 50 V, LCC 2, 6 broches Dual, gain de 50
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum800 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum50 V
  • Type de boîtierLCC 2
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
  • 66,15 €la pièce
MOSFET, Canal-N, 10 A 70 V DA, 4 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum10 A
  • Tension Drain Source maximum70 V
  • Tension de seuil maximale de la grille7V
  • Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
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