JFETs

"JFET Un JFET est un dispositif à quatre bornes, qui sont appelées porte, drain, source et corps. La borne de corps est toujours connectée à la source. Il existe deux types de JFET : canal N et canal P.Que signifie JFET ? JFET est l'acronyme de Junction Field-Effect Transistor (transistor de jonction à effet de champ)Fabrication de JFET à canal NLe nom "canal N" signifie que les électrons sont les porteurs de charge majoritaire. Pour former le canal N, des semi-conducteurs de type N sont utilisés comme base et entourés de semi-conducteurs de type P aux deux extrémités. Ces deux régions P sont électriquement reliées ensemble avec un contact ohmique à la grille. Deux autres bornes sortent des extrémités opposées pour le drain et la source.Fabrication de JFET à canal PLe nom "canal P" signifie que les trous sont les porteurs de charge majoritaire. Pour former le canal P, des semi-conducteurs de type P sont utilisés comme base et entourés de semi-conducteurs de type N aux deux extrémités. Ces deux régions N sont électriquement reliées ensemble avec un contact ohmique à la grille. Deux autres bornes sortent des extrémités opposées pour le drain et la source.Caractéristiques et avantages Impédance d'entrée élevée Dispositif commandé par tension Haut degré d'isolation entre l'entrée et la sortie Moins de bruitSous quel nom sont-ils également connus ? JUGFETOù sont utilisés les transistors JFET ? Les transistors JFET offrent de nombreuses applications dans l'électronique et la communication. Ils peuvent être utilisés comme un commutateur à commande électronique pour commander l'alimentation électrique d'une charge, et comme amplificateurs.Quelle est la différence entre un transistor JFET et un BJT (transistor à jonction bipolaire) ? La principale différence entre un JFET et un BJT est le flux porteur de charge majoritaire dans le transistor à effet de champ tandis que le transistor BJT (bipolaire) offre à la fois des flux porteurs de charge majoritaire et minoritaire.Qu'est-ce que le dopage de semi-conducteurs ? Le dopage est le processus consistant à introduire des impuretés étrangères dans des semi-conducteurs intrinsèques pour changer leurs propriétés électriques. Les atomes trivalents utilisés pour doper le silicium font du semi-conducteur intrinsèque un semi-conducteur de type P. Les atomes pentavalents utilisés pour doper le silicium font du semi-conducteur intrinsèque un semi-conducteur de type N.

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Description Prix Type de canal Idss Drain-source Courant de coupure Tension Drain Source maximum Tension Grille Source maximum Tension Drain Grille maximum Configuration Configuration du transistor Résistance Drain Source maximum Type de montage Type de boîtier Nombre de broches Capacitance Drain Grille Capacitance Source Grille ON Dimensions
Code commande RS 169-7868
Référence fabricantDSK5J01R0L
MarquePanasonic
0,053 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 5 → 12mA - - -55V Simple Simple - CMS SMini3 F2 B 3 - - 2 x 1.25 x 0.8mm
Code commande RS 163-2020
Référence fabricant2SK3557-6-TB-E
0,116 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 10 → 20mA 15 V - -15V Simple Simple - CMS CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Code commande RS 166-0535
Référence fabricantBF510,215
MarqueNXP
0,28 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 0.7 → 3.0mA 20 V - 20V Simple Simple - CMS SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Code commande RS 807-5201
Référence fabricantBSR58
0,116 €
l'unité (par multiple de 100)
Unité
N 8 → 80mA 0,4 V -40 V 40V Simple Simple - CMS SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.97mm
Code commande RS 626-2355
Référence fabricantBF556A,215
MarqueNXP
0,615 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 3 → 7mA 30 V -30 V -30V Simple Simple - CMS SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Code commande RS 163-2337
Référence fabricantMMBF4391LT1G
0,081 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 50 → 150mA 30 V +30 V 30V Simple Simple 30 Ω CMS SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.94mm
Code commande RS 626-2311
Référence fabricantBF513,215
MarqueNXP
0,647 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 10 → 18mA 20 V - 20V Simple Simple - CMS SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Code commande RS 625-5723
Référence fabricantMMBF4391LT1G
0,39 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 50 → 150mA 30 V +30 V 30V Simple Simple 30 Ω CMS SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.94mm
Code commande RS 806-4318
Référence fabricantMMBFJ270
0,327 €
l'unité (par multiple de 50)
Unité
P -2 → -15mA 15 V +30 V -30V Simple Simple - CMS SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Code commande RS 166-2224
Référence fabricantMMBFJ270
0,114 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P -2 → -15mA 15 V +30 V -30V Simple Simple - CMS SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Code commande RS 792-5167
Référence fabricant2SK3557-7-TB-E
0,324 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 16 → 32mA 15 V - -15V Simple Simple - CMS CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Code commande RS 166-2319
Référence fabricantBSR58
0,068 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 8 → 80mA 0,4 V -40 V 40V Simple Simple - CMS SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.97mm
Code commande RS 124-2284
Référence fabricantBF861C,215
MarqueNXP
0,313 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 12 → 25mA 25 V -25 V, +25 V 25V Simple Simple - CMS SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Code commande RS 163-2025
Référence fabricant2SK932-24-TB-E
0,129 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 14.5 → 24mA 15 V - -15V Simple Simple - CMS CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Code commande RS 166-3077
Référence fabricantMMBF4093
0,051 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N min. 8mA 0,2 V -40 V 40V Simple Simple 80 Ω CMS SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Code commande RS 806-4311
Référence fabricantMMBFJ111
0,24 €
l'unité (en bande de 50)
Unité
N 20mA 15 V -35 V 35V Simple Simple 30 Ω CMS SOT-23 3 28pF 28pF 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Code commande RS 2508955453
Référence fabricantNTE466
6,89 €
l'unité
Unité
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Code commande RS 2508963612
Référence fabricantNTE457
1,58 €
l'unité
Unité
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Code commande RS 2508963583
Référence fabricantNTE133
4,49 €
l'unité
Unité
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Code commande RS 2508963606
Référence fabricantNTE312
2,40 €
l'unité
Unité
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