JFET
Un transistor JFET est un dispositif à quatre bornes ; les bornes sont appelées porte, drain, source et corps. Le terminal du corps est toujours connecté à la source de courant. Il existe deux types de JFET : à canal P et canal N. FET signifie transistor à effet de champ de jonction. Ils peuvent également être appelés JUGFET.
Construction JFET de canal N
Le nom canal N signifie que les électrons sont les porteurs de charge majoritaires. Pour former le canal N, un semi-conducteur de type N (négatif) est utilisé comme base et dopé avec un semi-conducteur de type P (positif) aux deux extrémités. Ces deux régions P sont électriquement reliées avec un contact ohmique à la porte. Le drain et la source les bornes aux extrémités opposées.
Construction JFET à canal P
A contrario, le nom canal P signifie que les électrons ne sont pas majoritaires comme porteurs de charge. Pour former le canal P, un semi-conducteur de type P est utilisé comme base et dopé avec un semi-conducteur de type N aux deux extrémités. Ces deux régions N sont électriquement reliées avec un contact ohmique à la porte.
Caractéristiques et avantages des transistors JFET
Utiliser des transistors JFET présente quelques avantages ; notamment :
- Impédance d'entrée élevée
- Dispositif à commande de tension
- Degré élevé d'isolation entre l'entrée et le sortie
- Moins de bruit
A quoi servent les transistors JFET ?
Les transistors JFET sont dotés de nombreuses applications dans l'électronique et la communication. Vous pouvez les utiliser comme un commutateur à commande électronique pour commander l'alimentation électrique à une charge et comme amplificateurs.
Quelle est la différence entre un transistor JFET et un BJT (transistor à jonction bipolaire) ?
La principale différence entre un JFET et un BJT est le flux porteur de charge majoritaire dans le transistor à effet de champ (JFET). Le transistor BJT (bipolaire), quant à lui, offre à la fois des flux porteurs de charge majoritaire et minoritaire.
Qu'est-ce que le dopage des semi-conducteurs ?
Le dopage est le processus consistant à inclure des impuretés étrangères dans les semi-conducteurs intrinsèques pour modifier leurs propriétés électriques. Les atomes trivalents utilisés pour doper le silicium font d'un semi-conducteur intrinsèque un semi-conducteur de type P. Le pentavalent utilisé pour doper le silicium provoque un semi-conducteur intrinsèque pour devenir un semi-conducteur de type N.