Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes d’appauvrissement et d’enrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous d’électron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 671-5363
Référence fabricantHUF75339P3
1,716 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 75 A 55 V TO-220AB Traversant - 3 12 mΩ Enrichissement - 2V 200 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 157-4625
Référence fabricantZVP4424A
MarqueDiodesZetex
0,96 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 200 mA 240 V E ligne Traversant - 3 9 Ω Enrichissement 2V - 750 mW Simple -40 V, +40 V
Code commande RS 907-5028
Référence fabricantIRF540NLPBF
MarqueInfineon
1,091 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 33 A 100 V I2PAK (TO-262) Traversant - 3 44 mΩ Enrichissement - - 130 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 871-4915
Référence fabricantMDF11N60BTH
MarqueMagnaChip
0,911 €
l'unité (en tube de 10)
Unité
N 11 A 660 V TO-220F Traversant - 3 550 mΩ Enrichissement 5V - 49 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 913-4045
Référence fabricantIRLB8743PBF
MarqueInfineon
1,031 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 150 A 30 V TO-220AB Traversant - 3 3 mΩ Enrichissement 2.35V 1.35V 140 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 919-4731
Référence fabricantIRLML2402TRPBF
MarqueInfineon
0,087 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 1,2 A 20 V SOT-23 CMS - 3 250 mΩ Enrichissement 0.7V 0.7V 540 mW Simple -12 V, +12 V
Code commande RS 906-4381
Référence fabricantBSC010N04LSATMA1
MarqueInfineon
2,013 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 100 A 40 V TDSON CMS - 8 1,3 mΩ Enrichissement - - 139 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 671-0564
Référence fabricantFDS6375
0,71 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 8 A 20 V SOIC CMS - 8 24 mΩ Enrichissement - 0.4V 2,5 W Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 671-5064
Référence fabricantFQP27P06
1,23 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 27 A 60 V TO-220AB Traversant - 3 70 mΩ Enrichissement 4V 2V 120 W Simple -25 V, +25 V
Code commande RS 145-4525
Référence fabricantFQP2N60C
0,893 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 2 A 600 V TO-220AB Traversant - 3 4,7 Ω Enrichissement - 2V 54 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 275-967
Référence fabricantZVP2106GTA
MarqueDiodesZetex
0,862 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 450 mA 60 V SOT-223 CMS - 3 + Tab 5 Ω Enrichissement 3.5V - 200 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 168-7470
Référence fabricantSTP5NK52ZD
1,243 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 4,4 A 520 V A-220 Traversant - 3 1,5 Ω Enrichissement 4.5V 2.5V 70 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 166-2604
Référence fabricantFDS6375
0,259 €
l'unité (en bobine de 2500)
Unité
P 8 A 20 V SOIC CMS - 8 24 mΩ Enrichissement - 0.4V 2,5 W Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 787-9042
Référence fabricantSI2319CDS-T1-GE3
MarqueVishay
0,408 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
P 4,4 A 40 V SOT-23 CMS - 3 108 mΩ Enrichissement - 1.2V 2,5 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 170-8323
Référence fabricantSI3499DV-T1-GE3
MarqueVishay
0,391 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 3,9 A 8 V TSOP CMS - 6 48 mΩ Enrichissement - 0.35V 1,1 W Simple -5 V, +5 V
Code commande RS 124-1389
Référence fabricantFDMC8030
0,263 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 12 A 40 V Puissance 33 CMS - 8 28 mΩ Enrichissement - 1V 1,9 W Isolé -12 V, +12 V
Code commande RS 671-0422
Référence fabricantFDN335N
0,238 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 1,7 A 20 V SOT-23 CMS - 3 70 mΩ Enrichissement - 0.4V 500 mW Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 122-0219
Référence fabricantDMN3150L-7
MarqueDiodesZetex
0,056 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 3,8 A 30 V SOT-23 CMS - 3 112 mΩ Enrichissement 1.4V - 1,4 W Simple -12 V, +12 V
Code commande RS 916-3879
Référence fabricantCAS120M12BM2
MarqueWolfspeed
367,60 €
la pièce
Unité
N 193 A 1200 V Demi-pont Montage panneau - 7 30 mΩ Enrichissement 2.6V 1.8V 925 W Série -10 V, +25 V
Code commande RS 751-4177
Référence fabricantDMN3150L-7
MarqueDiodesZetex
0,06 €
l'unité (par multiple de 50)
Unité
N 3.8 A 30 V SOT-23 CMS - 3 112 mΩ Enrichissement 1.4V - 1.4 W Simple -12 V, +12 V