Transistors MOSFET, Transistors À Effet De Champ, MOSFET de puissance | RS
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    Transistors MOSFET

    Les transistors MOSFET, appelés simplement MOSFET, qui signifie "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde de métal" sont des dispositifs à transistor qui sont contrôlés par un condensateur. L'effet de champ des transistors MOSFET signifie qu'ils sont contrôlés par tension. Le but d'un transistor MOSFET est de contrôler le flux du courant passant de la source aux bornes de drain. Il agit de manière très similaire à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

    Ces dispositifs à semi-conducteurs sont des circuits intégrés (CI) montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une gamme de boîtiers standards, tels que DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

    A quoi correspondent les modes d'épuisement et d'amélioration ?

    Les transistors MOSFET sont dotés de deux modes : épuisement et amélioration. Les transistors MOSFET de déplétion (épuisement) fonctionnent comme un commutateur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée. Les transistors MOSFET à mode d'amélioration sont comme une résistance variable et sont généralement plus populaires que les transistors MOSFET à mode d'épuisement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou à canal P.

    Comment fonctionnent les transistors MOSFET ?

    Les broches sur un boîtier MOSFET sont la source, la porte et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre la porte et les bornes source, le courant peut passer du drain aux broches source. Lorsque la tension appliquée à la porte change, la résistance du drain à la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance du drain à la source diminue. Les transistors MOSFET de puissance sont comme des transistors MOSFET standard, mais ils sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

    Transistors MOSFET canal N ou canal P

    Les transistors MOSFET à canal N est le type de canal le plus populaire. Il permet à davantage d'électron de s'y déplacer. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée au terminal de la porte.

    Le substrat de transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des orifices d'électrons. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'allument lorsque la tension fournie au terminal de la porte est inférieure à la tension source.

    18683 Produits présentés pour Transistors MOSFET

    Nexperia
    N
    4,4 A
    30 V
    PMV40UN2
    SOT-23
    CMS
    3
    44 mΩ
    Enrichissement
    0.9V
    0.4V
    5 W
    Simple
    -12 V, +12 V
    7 nC @ 4,5 V
    1.4mm
    3mm
    -
    1
    +150 °C
    STMicroelectronics
    N
    10 A
    600 V
    FDmesh
    TO-220FP
    Traversant
    3
    450 mΩ
    Enrichissement
    5V
    3V
    25 W
    Simple
    -25 V, +25 V
    30 nC @ 10 V
    4.6mm
    10.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    13 A
    1200 V
    IMW1
    TO-247
    Traversant
    3
    22 mΩ
    Enrichissement
    4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    1
    -
    IXYS
    N
    150 A
    150 V
    HiperFET, Polar
    SOT-227
    Montage à visser
    4
    11 mΩ
    Enrichissement
    5V
    -
    680 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    240 nC @ 10 V
    25.42mm
    38.23mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    20 A
    55 V
    -
    PG-TDSON-8-10
    CMS
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    N
    100 A
    75 V
    OptiMOS™
    TO-220
    Traversant
    3
    0,0068 O
    Enrichissement
    2V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    1
    -
    Infineon
    N
    46 A
    650 V
    CoolSiC
    TO-247
    Traversant
    3
    0,05 Ω
    Enrichissement
    5.7V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Silicium
    1
    -
    Toshiba
    N
    9 A
    900 V
    TK
    TO-3PN
    Traversant
    3
    1,3 Ω
    Enrichissement
    4V
    -
    250 W
    Simple
    -30 V, +30 V
    46 nC @ 10 V
    4.5mm
    15.5mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    80 A
    100 V
    HEXFET
    D2PAK (TO-263)
    CMS
    3
    15 mΩ
    Enrichissement
    4V
    2V
    260 W
    -
    -20 V, +20 V
    81 nC @ 10 V
    9.65mm
    10.67mm
    -
    1
    +175 °C
    Microchip
    P
    250 mA
    60 V
    -
    TO-92
    Traversant
    3
    15 Ω
    Enrichissement
    3.5V
    -
    1 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    -
    4.06mm
    5.08mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    N
    500 mA
    60 V
    -
    TO-92
    Traversant
    3
    5 Ω
    Enrichissement
    3V
    0.8V
    830 mW
    Simple
    -20 V, +20 V
    -
    4.19mm
    5.2mm
    Si
    1
    +150 °C
    Nexperia
    N
    300 mA
    60 V
    -
    SOT-23
    CMS
    3
    5 Ω
    Enrichissement
    2.5V
    1V
    830 mW
    Simple
    -30 V, +30 V
    -
    1.4mm
    3mm
    Si
    1
    +150 °C
    IXYS
    N
    360 A
    100 V
    GigaMOS Trench HiperFET
    SOT-227
    Montage à visser
    4
    2,6 mΩ
    Enrichissement
    4.5V
    2.5V
    830 W
    -
    -20 V, +20 V
    525 nC @ 10 V
    25.07mm
    38.23mm
    -
    1
    +175 °C
    STMicroelectronics
    N
    4 A
    60 V
    STN3N
    SOT-223
    CMS
    3
    0,007 Ω
    Enrichissement
    4V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    1
    -
    Microchip
    N
    99 A
    700 V
    -
    TO247-4
    Traversant
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    SiC
    1
    -
    Renesas Electronics
    N
    7 A
    140 V
    -
    SC-65
    Traversant
    3
    -
    Enrichissement
    1.45V
    -
    100 W
    Simple
    -15 V, +15 V
    -
    4.8mm
    15.6mm
    Si
    1
    +150 °C
    Microchip
    P
    643 mA
    60 V
    VP2206
    TO-92
    CMS
    3
    1,5 Ω
    Enrichissement
    3.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Silicium
    1
    -
    Infineon
    N
    300 A
    80 V
    OptiMOS™ 5
    HSOF-8
    CMS
    8
    0,0012 Ω
    Enrichissement
    3.8V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Silicium
    1
    -
    Infineon
    N
    37 A
    150 V
    OptiMOS™ 3
    TO-220 FP
    Traversant
    3
    11,1 mΩ
    Enrichissement
    -
    -
    40,5 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    41 nC @ 10 V
    4.85mm
    10.65mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    99,6 A
    650 V
    CoolMOS™
    TO-247
    Traversant
    3
    0,11 O
    Enrichissement
    4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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