MOSFET de puissance FDmesh II canal N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP FDmesh

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761-2745
Référence fabricant:
STF11NM60ND
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET de puissance FDmesh II

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220FP

Série

FDmesh

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.45Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25V, +25V

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.6mm

Hauteur

16.4mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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