MOSFET canal N STMicroelectronics 29 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 FDmesh

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Code commande RS:
760-9792
Référence fabricant:
STW34NM60ND
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

29A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

FDmesh

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

110mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

190W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80.4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.15mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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