Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes dappauvrissement et denrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous délectron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 919-4801
Référence fabricantIRL2203NPBF
MarqueInfineon
1,09 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 116 A 30 V TO-220AB Traversant 3 - 7 mΩ Enrichissement 1V 1V 180 W Simple -16 V, +16 V
Code commande RS 543-2496
Référence fabricantIRFR5305PBF
MarqueInfineon
1,24 €
la pièce
Unité
P 31 A 55 V DPAK (TO-252) CMS 3 - 65 mΩ Enrichissement 4V 2V 110 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 919-4735
Référence fabricantIRLML2803TRPBF
MarqueInfineon
0,089 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 1,2 A 30 V SOT-23 CMS 3 - 250 mΩ Enrichissement 1V 1V 540 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 913-3893
Référence fabricantIRFR5305PBF
MarqueInfineon
1,063 €
l'unité (en tube de 75)
Unité
P 31 A 55 V DPAK (TO-252) CMS 3 - 65 mΩ Enrichissement 4V 2V 110 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 913-4789
Référence fabricantIRFR5305TRPBF
MarqueInfineon
0,422 €
l'unité (en bobine de 2000)
Unité
P 31 A 55 V DPAK (TO-252) CMS 3 - 65 mΩ Enrichissement 4V 2V 110 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 302-022
Référence fabricantIRLML2803TRPBF
MarqueInfineon
0,332 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 1,2 A 30 V SOT-23 CMS 3 - 250 mΩ Enrichissement 1V 1V 540 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 827-4060
Référence fabricantIRFR5305TRPBF
MarqueInfineon
0,776 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
P 31 A 55 V DPAK (TO-252) CMS 3 - 65 mΩ Enrichissement 4V 2V 110 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 671-0346
Référence fabricantFDC5614P
0,506 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 3 A 60 V SOT-23 CMS 6 - 105 mΩ Enrichissement - 1V 1,6 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 124-1696
Référence fabricantFDC5614P
0,173 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 3 A 60 V SOT-23 CMS 6 - 105 mΩ Enrichissement - 1V 1,6 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 671-0435
Référence fabricantFDN340P
0,42 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 2 A 20 V SOT-23 CMS 3 - 70 mΩ Enrichissement - 0.4V 500 mW Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 124-1704
Référence fabricantFDN340P
0,088 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 2 A 20 V SOT-23 CMS 3 - 70 mΩ Enrichissement - 0.4V 500 mW Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 913-3869
Référence fabricantIRL2505PBF
MarqueInfineon
1,694 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 104 A 55 V TO-220AB Traversant 3 - 8 mΩ Enrichissement 2V 1V 200 W Simple -16 V, +16 V
Code commande RS 543-1544
Référence fabricantIRL2505PBF
MarqueInfineon
2,00 €
la pièce
Unité
N 104 A 55 V TO-220AB Traversant 3 - 8 mΩ Enrichissement 2V 1V 200 W Simple -16 V, +16 V
Code commande RS 919-4886
Référence fabricantIRF9540NPBF
MarqueInfineon
0,849 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
P 23 A 100 V TO-220AB Traversant 3 - 117 mΩ Enrichissement 4V 2V 140 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 541-1225
Référence fabricantIRF9540NPBF
MarqueInfineon
0,97 €
la pièce
Unité
P 23 A 100 V TO-220AB Traversant 3 - 117 mΩ Enrichissement 4V 2V 140 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 922-7831
Référence fabricantBS250P
MarqueDiodesZetex
0,334 €
L'unité (en sachet de 4000)
Unité
P 230 mA 45 V E ligne Traversant 3 - 14 Ω Enrichissement 3.5V - 700 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 215-6688
Référence fabricantBS250P
MarqueDiodesZetex
0,722 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 230 mA 45 V E ligne Traversant 3 - 14 Ω Enrichissement 3.5V - 700 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 919-4915
Référence fabricantIRF5210PBF
MarqueInfineon
1,601 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
P 40 A 100 V TO-220AB Traversant 3 - 60 mΩ Enrichissement 4V 2V 200 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 541-1720
Référence fabricantIRF5210PBF
MarqueInfineon
2,18 €
la pièce
Unité
P 40 A 100 V TO-220AB Traversant 3 - 60 mΩ Enrichissement 4V 2V 200 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 737-7458
Référence fabricantAUIRF540Z
MarqueInfineon
1,925 €
l'unité (par multiple de 2)
Unité
N 36 A 100 V TO-220AB Traversant 3 - 26,5 mΩ Enrichissement 4V 2V 92 W Simple -20 V, +20 V