MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 50 A 150 V, 3 broches

Code commande RS:: 754-5443
Référence fabricant:: IPB200N15N3GATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 50 A 150 V, 3 broches

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Référence fabricant:: IPB200N15N3GATMA1
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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	50 A
Tension Drain Source maximum	150 V
Série	OptiMOS™ 3
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	20 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	150 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Largeur	9.45mm
Matériau du transistor	Si
Longueur	10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs	23 nC @ 10 V
Hauteur	4.57mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

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