MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 60 V, 3 broches

Code commande RS:: 914-0185
Référence fabricant:: IPB029N06N3GATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 60 V, 3 broches

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Code commande RS:: 914-0185
Référence fabricant:: IPB029N06N3GATMA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

IPB029N06N3G OptiMOS 3 Power transistor

Législation et Conformité

Statut RoHS non applicable

Détail produit

Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	120 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Série	OptiMOS™ 3
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	3,2 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	188 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	124 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Largeur	9.45mm
Longueur	10.31mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Tension directe de la diode	1.2V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	4.57mm