MOSFET canal Type N Infineon 80 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB AEC-Q101

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Code commande RS:
249-6903
Référence fabricant:
IPB80N06S4L07ATMA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

iPB

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

L'OptiMOS d'Infineon est un MOSFET de puissance pour les applications automobiles. Le canal de fonctionnement est N. Il est homologué AEC Q101. MSL1 jusqu'à 260 °C de reflux de crête. Produit écologique (conforme à la directive RoHS) et testé à 100 % Avalanche.

Température d'utilisation de 175 °C

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