MOSFET canal N Infineon 273 A 100 V N, 3 broches, TO-263 iPB
- Code commande RS:
- 242-5820
- Référence fabricant:
- IPB048N15N5LFATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
3 840,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,84 € | 3 840,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 242-5820
- Référence fabricant:
- IPB048N15N5LFATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 273A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | iPB | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 273A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série iPB | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série iPB, tension de source de drain maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 273 A - IPB048N15N5LFATMA1
Ce MOSFET à canal N est un dispositif de commutation de puissance conçu pour les applications à courant élevé et haute tension où des performances thermiques et électriques robustes sont requises. Il fonctionne dans une large plage ambiante et est fourni dans un boîtier TO-263 à montage en surface adapté aux circuits imprimés à gestion thermique. Le dispositif est conforme à la directive RoHS et est destiné aux systèmes nécessitant une capacité de drainage continue importante et une commande de grille contrôlée.
Caractéristiques et avantages :
• Résistance drain-source de 100 V permettant la commutation haute tension
• Courant de drain continu de 273 A pour la manipulation de charges lourdes
• Faible Rds(on) de 1.7 mΩ réduisant les pertes de conduction
• Dissipation de puissance de 81 W pour un fonctionnement à haute puissance
• Charge de grille totale de 80 nC pour une énergie de commutation prévisible
• Tension directe de 1,2 V minimisant la chute de conduction de la diode
• Courant de drain continu de 273 A pour la manipulation de charges lourdes
• Faible Rds(on) de 1.7 mΩ réduisant les pertes de conduction
• Dissipation de puissance de 81 W pour un fonctionnement à haute puissance
• Charge de grille totale de 80 nC pour une énergie de commutation prévisible
• Tension directe de 1,2 V minimisant la chute de conduction de la diode
Applications
• Convient aux alimentations à courant élevé et aux convertisseurs
• Idéal pour les étages d'entraînement de moteur nécessitant un courant important
• Utilisé pour la distribution d'alimentation de serveur et la commutation de bus
• Peut être utilisé pour les redresseurs et les onduleurs de télécommunications
• Adapté à la commutation industrielle à des températures extrêmes
• Idéal pour les étages d'entraînement de moteur nécessitant un courant important
• Utilisé pour la distribution d'alimentation de serveur et la commutation de bus
• Peut être utilisé pour les redresseurs et les onduleurs de télécommunications
• Adapté à la commutation industrielle à des températures extrêmes
Quelles sont les limites de tension de grille à respecter pour un fonctionnement sûr?
La porte ne doit pas dépasser une limite de 20 V Vgs pour éviter d'endommager la porte.
Comment supporte-t-il les environnements thermiques extrêmes?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 à +150 °C pour une utilisation dans une large plage de températures.
Quelle méthode de montage est nécessaire pour l'assemblage?
Le dispositif est destiné au montage en surface dans un encombrement TO-263.
Quel comportement de conduction les concepteurs peuvent-ils attendre de la diode intrinsèque?
La caractéristique de conduction directe est spécifiée à 1,2 Vf pour le flux de courant lié à la diode.
Quelle est la polarité du canal que présente le dispositif pour l'intégration du circuit?
Il utilise une configuration à canal N pour la commutation high-side ou low-side conventionnelle.
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