MOSFET canal N Infineon 273 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0592
- Référence fabricant:
- IPB60R060C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
2 477,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,477 € | 2 477,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0592
- Référence fabricant:
- IPB60R060C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 273A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 273A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le CoolMOS C7 d'Infineon est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue selon le principe de super jonction (SJ) et conçue par les technologies d'Infineon. Cette série combine l'expérience du principal fournisseur de transistors MOSFET SJ avec une innovation haut de gamme. Le C7 600 V est la première technologie avec un RDS(on) A inférieur à 1 Ohm*mm². Il est adapté pour la commutation dure et douce (PFC et LLC hautes performances). Il est doté d'une plus grande robustesse MOSFET dv/dt jusqu'à 120 V/ns et d'un rendement accru.
Permet une plus grande efficacité du système en réduisant les pertes de commutation
Solutions de densité de puissance accrue grâce à des boîtiers plus petits
Adapté aux applications telles que les serveurs, les télécommunications et l'énergie solaire
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