MOSFET N Infineon 273 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0593
- Référence fabricant:
- IPB60R060C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0593
- Référence fabricant:
- IPB60R060C7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 273A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 273A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le CoolMOS C7 d'Infineon est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue selon le principe de super jonction (SJ) et conçue par les technologies d'Infineon. Cette série combine l'expérience du principal fournisseur de transistors MOSFET SJ avec une innovation haut de gamme. Le C7 600 V est la première technologie avec un RDS(on) A inférieur à 1 Ohm*mm². Il est adapté pour la commutation dure et douce (PFC et LLC hautes performances). Il est doté d'une plus grande robustesse MOSFET dv/dt jusqu'à 120 V/ns et d'un rendement accru.
Permet une plus grande efficacité du système en réduisant les pertes de commutation
Solutions de densité de puissance accrue grâce à des boîtiers plus petits
Adapté aux applications telles que les serveurs, les télécommunications et l'énergie solaire
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