MOSFET P Infineon 273 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB AEC-Q101

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Code commande RS:
249-6909
Référence fabricant:
IPB80P03P4L04ATMA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

273A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

iPB

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

L'OptiMOS d'Infineon est un MOSFET de puissance pour les applications automobiles. Le canal de fonctionnement est N. Il est homologué AEC Q101. MSL1 jusqu'à 260 °C de reflux de crête. Produit écologique (conforme à la directive RoHS) et testé à 100 % Avalanche.

Température d'utilisation de 175 °C

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