MOSFET P Infineon 273 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 iPB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 249-6909
- Référence fabricant:
- IPB80P03P4L04ATMA2
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 10 de plus pour économiser 1,20 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
2,48 €
HT
2,98 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 410 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 2,48 € | - |
| 10 - 24 | 2,36 € | 1,20 € |
| 25 - 49 | 2,27 € | 5,25 € |
| 50 - 99 | 2,16 € | 16,00 € |
| 100 + | 2,02 € | 46,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 249-6909
- Référence fabricant:
- IPB80P03P4L04ATMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 273A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 273A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
L'OptiMOS d'Infineon est un MOSFET de puissance pour les applications automobiles. Le canal de fonctionnement est N. Il est homologué AEC Q101. MSL1 jusqu'à 260 °C de reflux de crête. Produit écologique (conforme à la directive RoHS) et testé à 100 % Avalanche.
Température d'utilisation de 175 °C
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Infineon 273 A 100 V Enrichissement TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 273 A 100 V Enrichissement TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 273 A 100 V N TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 273 A 100 V N TO-263 iPB
- MOSFET P Infineon 80 A 40 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 180 A 40 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 17 A 800 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET P Infineon -120 A -40 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101