MOSFET canal N Infineon 273 A 100 V N, 3 broches, TO-263 iPB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 242-5830
- Référence fabricant:
- IPB60R070CFD7ATMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 242-5830
- Référence fabricant:
- IPB60R070CFD7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 273A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | iPB | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 273A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série iPB | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le transistor MOSFET à super jonction Infineon offre un boîtier D2PAK et est parfaitement adapté aux topologies de résonance dans les SMPS haute puissance, telles que les serveurs, les télécommunications et les stations de charge EV, où il permet d'améliorer considérablement le rendement. En tant que successeur de la famille de transistors MOSFET CFD2 SJ, il est fourni avec une charge de grille réduite, un comportement de mise hors tension amélioré et une charge de récupération inverse jusqu'à 69 % réduite par rapport aux concurrents.
Diode de corps ultra-rapide
Charge de récupération inverse (Qrr)
Meilleure de sa classe, diode inverse dv/dt et diff/dt améliorée
FOM RDS(on) x Qg et EOSS plus faibles
Excellente robustesse de commutation dure
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