MOSFET canal N Infineon 273 A 100 V P, 3 broches, TO-263 iPB
- Code commande RS:
- 243-9265
- Référence fabricant:
- IPB020N08N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
2 024,00 €
HT
2 429,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,024 € | 2 024,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 243-9265
- Référence fabricant:
- IPB020N08N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 273A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | P | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 273A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal P | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance canal N d'Infineon est idéal pour la commutation haute fréquence. Il est doté d'un excellent produit de charge de grille (FOM). Il est généralement fourni dans un système de boîtier D2PAK. Le courant de drain et la tension drain-source du transistor MOSFET de puissance sont respectivement de 173 A et 80 V
Dissipation de puissance de 300 W
Montage en surface
Optimisé pour le redressement synchrone
Réduction de la capacité de sortie jusqu'à 44 %
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