MOSFET canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-4366
- Référence fabricant:
- IPB120N08S403ATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 214-4366
- Référence fabricant:
- IPB120N08S403ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | OptiMOS -T2 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 278W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 128nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 9.27mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.02mm | |
| Hauteur | 4.5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série OptiMOS -T2 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 278W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 128nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 9.27mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.02mm | ||
Hauteur 4.5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Ce transistor MOSFET Infineon OptiMOS T2 est testé à 100 % en avalanche et est conforme à la directive RoHS.
Il est certifié AEC Q101
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement TO-263 OptiMOS -T2 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 120 A 60 V Enrichissement TO-263 OptiMOS-T2 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement TO-263 OptiMOS-T2 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 180 A 40 V Enrichissement TO-263 OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Transistor de puissance canal N Infineon 80 A 60 V Enrichissement TO-263 OptiMOS -T2 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 45 A 60 V Enrichissement TO-263 OptiMOS-T2
- MOSFET canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement TO-220 OptiMOS-T2 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 90 A 40 V Enrichissement TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101